紐約州布賴爾克利夫馬諾2015年4月23日電 /美通社/ -- Solar-Tectic LLC (簡稱「ST」)今天宣佈,美國專利商標局 (USPTO) 已向公司的多項技術頒發了一項主要專利(50多個專利申請範圍),其中包括在普通玻璃等廉價襯底上生長單晶體、高度織構或大粒徑半導體薄膜的技術。這些技術是由已故的1995年美國國家技術獎得主 -- Praveen Chaudhari 博士發明,可應用於太陽能、顯示器和 LED 等多個產業。
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美國專利(12/774,465)「在器件上生長異質外延單晶體或大粒徑半導體薄膜的方法」(Methods of Growing Heteroepitaxial Single Crystal or Large Grained Semiconductor Films and Devices Thereon) ,揭示了改良的氣液固薄膜生長技術,該技術首次實現了採用矽、鍺和氮化鎵等各種材料,在廉價襯底上生長的高品質半導體薄膜的低溫沉積。
具有成本效益、類似奈米線的薄膜生長工藝,其中包括低共熔合金,非常適合大規模工業應用,可採用當前用於多個產業的電子束和化學氣相沉積等普通沉積工藝實現。
一般諮詢或技術授權,請聯絡Carter Ledyard & Milburn LLP,電郵:davis@clm.com,電話:+1-212-238-8850。
Solar-Tectic LLC簡介 Solar-Tectic LLC是一家薄膜專業公司,主要專注於為在玻璃或金屬襯底上生長單晶或高度織構半導體薄膜開發專利技術。該公司擁有廣泛的相關領域技術和智慧財產權組合(以已故的材料科學家、1995美國國家技術創新獎得主 -- Praveen Chaudhari 博士的發明為基礎)。過去一年內,發表了多篇相關領域研發進展的論文,其中包括 S. McMahon 等人撰寫的《透過電子束蒸發在緩衝的鈉鈣玻璃上生長高度織構矽[111]晶體薄膜》(Highly textured silicon [111] crystalline thin-film on buffered soda-lime glass by e-beam evaporation),以及 A Chaudhari等人撰寫的《透過電子束在緩衝的鈉鈣玻璃上生長Al203晶體》(Crystalline Al203 on buffered soda-lime glass by e-beam)。