天科合達的新進展: 實現3英寸碳化矽晶片規模化生產

北京2009年9月29日電 /美通社亞洲/ -- 作為亞太地區碳化矽(SiC)晶片產銷的旗幟性公司，天科合達於近期實現了3英寸SiC晶片的規模化生產。此前，天科合達降低了2英寸SiC晶片的銷售價格以滿足客戶對新一代大功率半導體器件的研發和商業化應用。最近天科合達已成功實現了高質量3英寸導電型SiC晶片的量產，且正積極擴大產能。產品質量相對於美國、歐洲同類產品極具競爭性，平均微管密度低於10個/cm2、X-射線衍射搖擺曲線半高寬小於30弧秒、電阻率及晶片加工質量滿足工業用戶需求，適合製備新一代高性能肖特基二極管、金屬半導體場效應晶體管和金屬氧化物場效應晶體管等功率器件。

當前，製備半導體功率器件仍主要應用大尺寸矽基襯底，其散熱性以及與GaN基、SiC基外延膜的匹配性較差，難以用於製備新一代高性能功率器件。基於SiC優良的導熱性以及電化學特性，3英寸導電型SiC晶片的產業化生產，無疑可促進高性能功率器件的研製和商業化應用，也可極大地節約能源。天科合達4英寸導電型SiC晶片的研發已取得實質性突破，目的在於進一步支持客戶對於大尺寸SiC晶片的需求，相信天科合達4英寸晶圓產品不久將面市。

天科合達將參加2009年9月30日至10月2日的TAIWAN SEMICON 2009展會，位於台北世貿中心(TWTC) Hall 1，展位號1465。

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史慧玲

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