第一屆亞太碳化硅及相關材料國際會議將於7月在北京舉行

北京2018年6月15日電 /美通社/ -- 近年來，碳化硅等寬禁帶半導體已成為全球高技術領域競爭戰略制高點之一，國際半導體及材料領域研究和發展的熱點。寬禁帶半導體照明已經形成巨大規模的產業，並在電子功率器件領域繼續深入發展。國際上已有ICSCRM (International Conference on Silicon Carbide and Related Materials) 和ECSCRM (European Conference on Silicon Carbide and Related Materials)兩大品牌國際會議，在地域上主要體現為美國和歐洲的科技發展態勢，為了推動亞太地區碳化硅等寬禁帶半導體產業與學術的發展，加強交流與協同創新，由中關村天合寬禁帶半導體技術創新聯盟、中科院物理所和北京硅酸鹽學會發起並主辦第一屆亞太碳化硅及相關材料國際會議(Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials, APCSCRM 2018)將於2018年7月9日-12日在北京舉行，參會規模近400人。

此次會議將圍繞寬禁帶半導體材料生長技術、材料結構與物性、光電子和電子器件研發以及相關設備研發等領域開展廣泛交流，促進產學研的相互合作和交流。深信這次會議必將對亞太地區碳化硅等寬禁帶半導體材料與器件的學術研究、技術進步和產業發展起到有力的推動作用。 

APCSCRM將是一個亞太地區高水平的碳化硅等寬禁帶半導體相關材料、器件的產業與學術並重的高水平論壇。從2018年開始，每年召開一次大會，地點在亞太地區不同地點輪換。

APCSCRM會議邀請來自亞太地區知名的專家學者齊聚一堂，共同學習和交流寬禁帶半導體材料生長、器件制備及封裝和器件模塊應用等領域理論和技術。以下是部分邀請專家簡介：

1. 新井 學（新日本無線，日本）

報告名稱：寬禁帶半導體（碳化硅、氮化鎵、氧化鎵和金剛石）器件綜述

2. 高冰（武漢大學，中國）

報告名稱：碳化硅PVT生長基面位錯模擬及其控制

3. 顧亦磊（陽光電源股份有限公司，中國）

報告名稱：基於SiC MOSFET的高效高功率密度光伏逆變器

4. 土方 泰斗（琦玉大學，日本）

報告名稱：基於Si和C的發射模型的SiC的熱氧化過程的宏觀模擬

5. 黃偉（復旦大學，中國）

報告名稱：可融合GaN/Si半導體器件與集成技術

6. 岩室 憲幸（築波大學，日本）

報告名稱：碳化硅MOSFET器件的最新進展

7. 紀世陽（產業技術綜合研究所，日本）

報告名稱：CVD外延——新型4H-SiC超結MOSFET的關鍵技術

8. 李順峰（北京大學東莞光電研究院，中國）

報告名稱：硅基GaN功率電子器件的開發應用與展望

9. 劉國友（中國株洲中車時代電氣股份有限公司，中國）

報告名稱：SiC器件在軌道交通中的應用前景

10. 陸國權（弗吉尼亞理工大學，美國）

報告名稱：汽車用高功率密度碳化硅功率模塊的封裝

11. 松浦 秀治（ 大阪電氣通信大學，日本）

報告名稱：利用霍爾效應測量寬禁帶半導體的電學特性

12. 水原 德健（ROHM半導體(上海)有限公司，日本）

報告名稱：功率器件(SiC)的市場應用~SiC功率器件的特徵、應用

13. 邱顯欽（長庚大學，台灣）

報告名稱：六寸硅基氮化鎵功率與微波器件封裝與模塊開發

14. 邱宇峰（全球能源互聯網研究院，中國）

報告名稱：SiC器件在未來電網中的應用

15. 孫國勝（東莞天域半導體科技有限公司，中科院半導體所，中國）

報告名稱：4H-SiC中三角形缺陷結構及成因研究進展

16. 溫旭輝（中國科學院電工研究所，中國）

報告名稱：電動汽車用超高功率密度SiC逆變電源的技術途徑分析

17. 張清純（北卡羅來納州立大學，美國）

報告名稱：寬禁帶半導體器件（氮化鎵和碳化硅）及其應用的現狀與展望

本次會議還面向國內外高校、科研院所和企事業單位的寬禁帶半導體材料、器件、應用領域的專業技術人員徵稿，投稿說明：

1. 投稿通過APCSCRM官網在線投稿

（投稿操作說明：http://www.apcscrm2018.iawbs.com，論文提交欄目下載）

2. 摘要提交截止日期：2018年6月30日

3. 全文投稿截止日期：2018年7月31日

4. 投稿人請隨時關注論文評審情況（APCSCRM官網在線投稿系統）。

消息來源: 中關村天合寬禁帶半導體技術創新聯盟