富提亞科技在台積電130BCD+製程上完成eFlash IP可靠度驗證，並達成200°C高溫下資料保存10年的可靠度標準

東京2023年3月3日 /美通社/ -- 富提亞科技有限公司（總部位於日本東京，以下簡稱「富提亞科技」）是eFlash IP（嵌入式快閃記憶體矽智財）的開發商，已完成 eFlash IP（產品名稱為G1）在台積電130BCD+製程上的可靠度驗證。經過1萬次寫入和擦除操作後，G1通過了125°C資料保存10年的可靠度標準。在200°C的高溫下進行同樣的測試，G1仍可以保存資料10年，是目前達成最高溫可靠度的eFlash IP。

圖標：https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M104461/202302243226/_prw_PI1fl_ROrOlxCv.jpg 

BCD製程是可以同時在單一晶片上整合Bipolar、CMOS及DMOS元件的一種製程技術。由於BCD製程是實現「智能電源管理 IC」不可或缺的製程技術，而使其需求量日益增加。智能電源管理 IC為處理高電壓和大電流的電源管理 IC 與 MCU（微控制器）的單一整合型晶片。為了在MCU中儲存程式和各種參數，在BCD製程上開發非揮發性記憶體矽智財，特別是eFlash IP的需求正在增加。

「熱電子注入浮閘式」MTP矽智財因為幾乎不需要額外的製程步驟，過去被認為是BCD製程上最容易開發的多次性存取記憶體。然而此類型的MTP存在應力誘發漏電流（SILC, Stress Induce Leakage Current）導致儲存資料遺失的風險，進一步造成資料未能被正確讀取引發重大品質問題。因此，MTP供應商通常採用電路設計方式試圖降低風險，但此舉會大幅增加MTP矽智財面積，且增加IC的成本，或者導致IC面積太大而無法被系統商採用。

富提亞科技G1是基於SONOS技術的快閃記憶體，它使用 Fowler-Nordheim（ FN）隧道技術來寫入和擦除。G1具有以下優勢：（1）重寫期間的低功耗（2）IP面積小（3）由於沒有SILC現象，資料保存可靠度高（4）只需要三道額外的光罩（5）測試時間短。此外，G1額外的thermal budget不會影響既有的BCD製程，所以晶圓代工廠的PDK和SPICE model不用因搭載G1而變更。因此，晶片設計公司可以沿用既有的IP資產，從而縮短IC開發時間。

G1適用於無線充電器IC、USB Type C電源IC、馬達控制IC 和可編程類比IC。一些汽車電子控制器應用已經採用G1，從多個獨立元件整合成一個IC進而減少60%的PCB尺寸和80%的PCB重量。

富提亞科技社長奧山幸佑表示「公司於2011年成立後不久，我們的 G1即被用於多款智慧型手機IC再延伸到汽車晶片應用，同時擴展至多家晶圓代工廠和 IDM廠。G1在TSMC 130BCD +製程上完成可靠度驗證將促進人們期待已久的智能電源管理IC的整合」。

關於富提亞科技

富提亞科技成立於2011年，由一群曾在日立及瑞薩開發嵌入式非揮發性記憶體長達20多年的資深工程師所組成。我們透過授予半導體晶片設計商矽智財（IP）的方式，提供使用於微型計算器、電源管理晶片、感測器等晶片的嵌入式非揮發性記憶體（斷電後也保有儲存功能），所需的製程與電路設計。相較於其他競爭性記憶體技術，富提亞科技的專業技術能使嵌入式非揮發性記憶體只需使用其1/1,000,000的電流就可執行寫入/清除動作，並有優異的耐熱性，整合在一個晶片上僅需1/3的額外成本。這些特性已經促使一家日本半導體製造商將其用於汽車微控制器，它也被台灣一家晶圓代工廠採用，作為代工廠製造的智慧型手機組件中的嵌入式記憶體。