LSI 推出單片12Gb/s SAS RAID 單晶片控制器　突破百萬 IOPS 效能障礙

LSI® SAS單晶片 I/O 效能可以充分展現快閃記憶體儲存和未來PCI Express 3.0伺服器平臺的絕佳效能 

台北2011年9月19日電 /美通社亞洲/ -- LSI 公司（NYSE：LSI）宣佈於英特爾開發者論壇 （IDF）上展示 LSI 新一代12Gb/s SAS RAID單晶片（ROC）技術。

於 IDF 中，LSI 展示一款單片8埠12Gb/s SAS 單晶片，將該晶片連接至8顆6Gb/s Seagate® SAS 2.5 英吋硬碟，在 PCI Express® 2.0 直連式儲存之架構下，運行小型模組連續讀取/寫入作業時，效能可超過 100萬 IOPS（Input/Output Operations Per Second，每秒輸入輸出運轉次數）。

透過整合 SAS 和 PCI Express 最新增強技術，以及創新的 LSI 硬體加速引擎，LSI SAS ROC 能夠為企業級固態硬碟(SSD)和符合即將推出的PCI Express 3.0規格的伺服器平臺提供所需的I/O效能，以充分發揮其效能優勢。

LSI RAID 儲存事業部資深副總裁暨總經理 Bill Wuertz表示：「固態硬碟的優異效能，再加上產業轉換至PCI Express 3.0伺服器平臺的趨勢，成為驅使 12Gb/s SAS 連接功能需求不斷增長的強勁動力。採用12Gb/s SAS，IT 管理人員既能夠將現有基礎設施發揮出较大效益，亦能夠滿足I/O密集型應用、雲端資料中心和虛擬化伺服器環境等儲存需求。」

相較於上一代 6GB/s SAS單晶片，以LSI第四代SAS架構為基礎的12Gb/s SAS單晶片在IOPS效能方面提升57%，I/O傳輸量亦提高45%。若採用上一代產品來達到100萬IOPS效能，則需搭配多片SAS單晶片和12顆硬碟，導致硬體採購成本更高，並提高功耗、冷卻系統和空間等需求。將12Gb/s SAS ROC整合至新一代 PCI Express 3.0系統，可望提供更高的效能水準。

SCSI商業協會副會長暨 Seagate Technology 新興架構專案經理 Marty Czekalski 表示：「LSI 在SAS架構的開發和廣泛市場推廣的貢獻上是有目共睹的。SCSI 商業協會非常興奮地看到我們的會員企業LSI公開展示12Gb/s SAS 原型矽晶片。此次初期公開展示是一個重要的技術里程碑，同時也為2012 年年中舉辦的首屆12Gb/s SAS互通性測試大會奠定基礎。」

根據產業預測，12Gb/s SAS 市場推廣將從單獨 SAS 元件和設備的推出開始，隨後，OEM廠商將量產符合12Gb/s SAS 規格的伺服器和外部儲存系統，此舉對於12Gb/s SAS的普及注入新的動力。採用12Gb/s SAS 的伺服器預計於 2013年年初量產，隨後在2013年下半年，外部儲存系統也將隨之量產。

自從SAS介面問世以來，LSI 已經推出領先業界的 SAS 全系列產品，包括 SAS ROC 單晶片、控制器和擴展器IC、主機匯流排轉接卡、MegaRAID®和 3ware® RAID控制器、6Gb/s SAS交換機、進階軟體選項以及WarpDrive™ SLP-300 固態儲存加速卡。

如欲瞭解 LSI SAS 全系列產品之相關資訊，敬請瀏覽：www.lsi.com/sas。

關於LSI

LSI Corporation(NYSE：LSI)為創新晶片、系統及軟體技術之領導供應商，能夠提供將人們、資訊及數位內容緊密連結在一起的產品。該公司為客戶提供廣泛的產品及服務，包括客制化及標準產品晶片、配接卡、系統及軟體，並獲得全球最知名品牌，以及儲存與網路市場中的重量級領導廠商的信賴。如欲獲得更多資訊，歡迎瀏覽公司網站：http://www.lsi.com 。