LSI WarpDrive PCIe 快閃記憶體轉接卡榮獲《ECN 雜誌》2011 年讀者票選较佳技術獎

LSI 應用加速卡獲得由 ECN 讀者評選為板卡、模組和嵌入式系統類之较佳產品獎

台北2012年1月16日電 /美通社亞洲/ -- LSI公司（NYSE：LSI）宣佈LSI® WarpDrive® SLP-300 PCIe® 快閃記憶體轉接卡榮獲《ECN雜誌》 2011 年度「讀者票選较佳技術獎」。PCIe 快閃記憶體轉接卡可將 300GB 的 NAND 快閃記憶體容量與數百顆硬碟 I/O 效能完美結合，大幅改善應用效能和回應時間，並同時降低所需功耗。

一年一度的「讀者票選较佳技術獎」旨在表彰可推動前端技術發展、協助設計人員以全新的方式克服挑戰、開發新產品、增進設計效能的創新零組件、裝置和次系統。透過公開的評選流程，ECN 讀者將 LSI 的 PCIe 快閃記憶體轉接卡評選為板卡、模組和嵌入式系統類之2011年较佳產品。

Advantage Business Media設計部編輯主任 Alix Paultre 表示：「《ECN 雜誌》已有超過50年於電子設計領域服務的經驗，我們每年舉辦的「讀者票選较佳技術獎」讓我們的工程類讀者有機會，評選出他們自己認為最重要的產品，而非由他人所推薦。LSI WarpDrive SLP-300 能夠真正讓工程師受益，否則也不會受到 ECN 讀者的青睞。」

針對 Web 服務、資料倉儲、線上交易處理和高效運算等 I/O 密集型和延遲敏感型工作負載所設計的 WarpDrive SLP-300 可直接插入標準型 PCIe 伺服器插槽，能夠為企業級用戶提供 300GB 的高效SLC NAND 快閃記憶體儲存功能，而且功耗少於 25 瓦。該款快閃記憶體轉接卡不僅可協助客戶提升應用效能，亦可縮減能源成本並省去儲存機架，進而降低總體擁有成本。

LSI 儲存加速解決方案業部門行銷副總裁 Steve Fingerhut 表示：「現今企業組織正在持續借助快閃記憶體儲存解決方案的高效能和低延遲優勢來應對由行動裝置、社群媒體和雲端所帶來的爆炸式資料成長。LSI 快閃記憶體轉接卡能夠由ECN 讀者授予這項殊榮，足以證明該產品的成功之處 -- 能夠在降低總體擁有成本的同時，為企業級客戶提供無縫、高效、低成本的應用加速技術。」

2011 年度「讀者票選较佳技術獎」共 12 類獲獎 名單已公佈於《ECN雜誌》12月號。

如欲瞭解 LSI 快閃記憶體儲存解決方案之相關資訊，敬請瀏覽：www.lsi.com/solutions/pages/solidstate.aspx。

關於LSI

LSI Corporation(NYSE：LSI)為創新晶片及軟體技術之領導供應商，協助提升資料中心和行動網路的儲存效能與網路速度。LSI所發展的智慧型技術為強化應用效能的重要關鍵，並與合作夥伴合作，應用LSI技術共同開發解決方案。如欲獲得更多資訊，歡迎瀏覽公司網站：http://www.lsi.com。