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SiCube - 高度晶體成長

2012-09-25 09:00

威登堡2012年9月25日電 /美通社/ -- 矽結晶系統及真空高溫系統製造商 PVA TePla AG 推出 SICube 中製造矽碳化物 (SiC) 晶體的高溫系統。以 SiCube 製造晶體主要是高科技市場客戶的需求。一般應用包括高效能電子產品 (例如混合動力電動車、空調系統與光伏元件) 以及光電產品,高導熱性之類的矽晶體材質特性在其中展現高度效益。

PVA TePla 供應兩套不同類型的系統:HTCVD (高溫化學氣相沉積) 及 HTCVT (高溫化學氣相傳導)。這兩種都能夠產生直徑達到 6 英吋 (150 公釐) 的晶體。截至目前為止,歐洲及亞洲的兩大製造商採用這類系統。SICube 是精簡型晶體成長系統,其中採用高品質材質及元件,藉由直覺式使用者介面及高程序準確度,對於客戶展現眾多效益。

有關本產品的詳細資訊,請訪問以下連結:

http://www.pvatepla.com/en/products/crystal-growing-systems/pva/sic-%28htcvd-htcvt%29/typ-sicube

如需詳細資訊,請洽詢:

Gert Fisahn 博士
投資人關係
PVA TePla AG
電話:+49(0)641/68690-400
gert.fisahn@pvatepla.com

消息來源: PVA TePla AG
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