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中芯國際推出自主研發的38納米NAND閃存工藝製程

2014-09-10 16:35

上海2014年9月10日電 /美通社/ -- 中芯國際集成電路製造有限公司(「中芯國際」,紐約證交所股票代碼:SMI,香港聯交所股票代碼:981)今日宣佈38納米NAND閃存工藝製程已準備就緒,中芯國際憑此成為唯一一家可為客戶生產NAND產品的代工廠。該工藝平台完全由中芯國際自主研發,可滿足特殊存儲器無晶圓廠客戶對高質量、低密度NAND閃存持續增長的需求,使中芯國際佔據該領域的領先地位。

NAND閃存是近年來發展最為迅速的非易失性存儲(NVM)產品。38納米NAND閃存主要面向嵌入式產品、移動計算、物聯網(IoT)、電視及機頂盒等多種大需求量的特殊應用領域。客戶也可利用此技術帶動串行外設接口(SPI)NAND市場的發展以及不斷增長的IoT相關產品的應用。此次中芯國際成功推出38納米NAND閃存技術,能夠幫助客戶滿足中國及全球市場對此技術的需求。

中芯國際技術研發執行副總裁李序武博士表示,「此前中芯國際已開發出一系列從130納米到65納米的特殊NOR閃存平台。經過研發團隊專注及系統的努力,我們成功推出了38納米NAND閃存,在技術多元化方面取得重要進展,也為後續開發更先進的2x/1x納米及3D NAND閃存奠定了穩固的基礎。我們將繼續努力推進NAND閃存技術的開發,以滿足無晶圓廠客戶對高質量標準的要求。」

中芯國際首席執行官兼執行董事邱慈雲博士表示,「這一重要里程碑對中芯國際以及特殊存儲器客戶及合作夥伴,都具有重大的戰略性意義。對客戶來說,中芯國際顯示了其在非易失性存儲技術開發方面的決心和能力。此外,還證明中芯國際有足夠的實力在精心選擇的細分市場確立領導地位。」

關於中芯國際

中芯國際集成電路製造有限公司(「中芯國際」,紐交所代號:SMI,港交所股份代號:981),是世界領先的集成電路晶圓代工企業之一,也是中國內地規模较大、技術最先進的集成電路晶圓代工企業。中芯國際向全球客戶提供0.35微米到28納米晶圓代工與技術服務。中芯國際總部位於上海,在上海建有一座300mm晶圓廠和一座200mm超大規模晶圓廠;在北京建有一座300mm超大規模晶圓廠,一座控股的300mm先進製程晶圓廠正在開發中;在天津建有一座200mm晶圓廠;在深圳正開發一個200mm晶圓廠項目。中芯國際還在美國、歐洲、日本和台灣地區設立營銷辦事處、提供客戶服務,同時在香港設立了代表處。詳細信息請參考中芯國際網站 www.smics.com

安全港聲明

(根據 1995 私人有價證券訴訟改革法案)

本文件可能載有(除歷史資料外)依據美國一九九五年私人有價證券訴訟改革法案「安全港」條文所界定的「前瞻性陳述」。該等前瞻性陳述乃基於中芯國際對未來事件的現行假設、期望及預測。中芯國際使用「相信」、「預期」、「計劃」、「估計」、「預計」、「預測」及類似表述 為該等前瞻性陳述之標識,但並非所有前瞻性陳述均包含上述字眼。該等前瞻性陳述乃反映中芯國際高級管理層根據较佳判斷作出的估計,存在重大已知及未知的風險、不確定性以及其它可能導致中芯國際實際業績、財務狀況或經營結果與前瞻性陳述所載資料有重大差異的因素,包括(但不限於)與半導體行業週期及市況有關風險、激烈競爭、中芯國際客戶能否及時接受晶圓產品、能否及時引進新技術、中芯國際量產新產品的能力、半導體代工服務供求情況、行業產能過剩、設備、零件及原材料短缺、製造產能供給、終端市場的金融情況是否穩定和高科技巿場常見的知識產權訴訟。

除本文件所載的資料外,閣下亦應考慮本公司向證券交易委員會呈報的其它存盤所載的資料,包括本公司於二零一四年四月十四日隨表格20-F向證券交易委員會呈報的年報,尤其是「風險因素」一節,以及本公司不時向證券交易委員會或香港聯交所呈報的其它文件(包括表格6-K)。其它未知或未能預測的因素亦 可能會對本公司的未來業績、表現或成就造成重大不利影響。鑒於該等風險、不確定性、假設及因素,本檔所討論的前瞻性事件可能不會發生。閣下務請小心,不應不當依賴該等前瞻性陳述,有關前瞻性陳述僅就該日期所述者發表,倘並無註明日期,則就本文件刊發日期發表。

中芯國際媒體聯絡:

中文媒體
唐穎
電話:+86-21-3861-0000 轉10088
電郵:Jane_Tang@smics.com

英文媒體
張浩賢
電話:+86-21-3861-0000 轉16812
電郵:Michael_Cheung@smics.com

消息來源: 中芯國際集成電路製造有限公司

相關股票: HongKong:0981 NYSE:SMI

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