科林研發揭示EUV微影的技術突破

新竹2020年3月2日 /美通社/ -- 科林研發公司 (Lam Research Corp.) 今天發表了一種用於極紫外線 (EUV) 曝光的乾式光阻 (dry resist) 技術。透過結合科林研發在沉積和蝕刻製程的領導地位以及與 ASML 和 imec 的策略夥伴關係，科林研發正在開發一種新的乾式光阻技術，將有助於擴展 EUV 微影的解析度、生產力和良率。科林研發的乾式光阻解決方案具有顯著的 EUV 靈敏度和解析度優勢，因此可改善單位 EUV 晶圓的整體成本。

隨著領先的晶片製造商正把 EUV 微影系統投入大量生產之用，進一步的提高生產力和解析度是必要的，才能以更具成本效益的方式微縮至未來的製程節點。科林研發的新型乾式光阻應用和開發技術將實現更低的劑量和更高的解析度，進而提高生產力並擴大曝光製程空間。此外，透過減少五到十倍的原材料使用，科林研發的乾式光阻技術能為客戶節省可觀的營運成本，同時還能為環境、社會和治理 (ESG) 措施提供更具永續性的解決方案。

ASML 總裁暨執行長 Peter Wennink 表示：「在 ASML 及其合作夥伴20多年的持續研發之後，EUV 現在已被用於大量晶片製造。透過與科林研發和 imec 的密切合作，我們將致力於進一步成熟和擴展這項技術。此一針對乾式光阻技術的策略夥伴關係可協助晶片製造商以較低成本實現更高效能的晶片創新，進而發揮科技的潛力，造福社會。」

科林研發總裁暨執行長 Tim Archer 表示：「這項技術突破是透過協同合作來推動創新的完美典範，並展現了我們與 ASML 和 imec 的寶貴夥伴關係如何持續為客戶和產業帶來新的裨益。科林研發一直在沉積和蝕刻領域居領導地位，而對於能把我們的曝光解決方案直接擴展到光敏微影材料的新機會，感到非常興奮。此新能力展示了科林研發完備的曝光技術策略，先是協助產業利用多種曝光解決方案，現在則是透過提高 EUV 的生產力和效能來持續製程微縮。」

科林研發與多家晶片製造商合作，利用此乾式光阻技術解決了 EUV 微影的關鍵挑戰。新的乾式光阻技術可為先進的邏輯和記憶體元件實現持續的製程微縮與擴展。

imec 總裁暨執行長 Luc Van den hove 表示：「最佳化曝光製程需要大量的多樣化技術，多年來，imec 一直是曝光製程的先驅者，並與重要的產業夥伴合作開發。乾式光阻技術將成為 EUV 微影技術進一步獲得採用並加速其技術藍圖的關鍵促成技術。與科林研發和 ASML 攜手，我們將致力於最佳化此乾式光阻技術，以獲得最佳的效能。」

關於科林研發

科林研發股份有限公司是為半導體產業提供創新晶圓製造設備和服務的全球供應商。身為全球領先半導體業者值得信賴的合作夥伴，我們結合優異的系統工程能力、技術領先地位、以及助力客戶成功的堅定承諾，透過提升元件效能來加速創新。事實上，今天，幾乎每一顆先進晶片都是利用科林研發的技術來生產的。科林研發是財星500大企業，總部設在加州弗里蒙特市，營運遍佈全球。更多訊息，請造訪 www.lamresearch.com. (LRCX-P)

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本新聞稿中的一些非既往事實陳述為前瞻性聲明，這些聲明受到「1995年美國私人證券訴訟改革法案」的安全港條款約束。這些前瞻性聲明論及，但不僅限於，科林研發機台與製程的效能，特別是，透過採用科林研發的新式乾阻技術所取得的效能優勢；新技術對於 EUV 微影的成本與生產力效應；對 EUV 微影生產力與解析度的改善需求；採用此新技術所節省的原材料數量；以及產業合作的效益。這些聲明是以目前的預期為基礎，並受風險、不確定性以及狀況、重要性、價值和影響的變化的影響，包括我們向美國證券交易委員會提交或提供的文件中描述的其他風險和不確定性，特別是包括我們在截至2019年6月30日會計年度的財報10-K 表格以及截至2019年12月29日和2019年9月29日的會計季度報告10-K 表格中所描述的風險因素。這些不確定性與變化可能會對前瞻性聲明造成重大影響，導致實際結果與預期有明顯不同。科林研發沒有義務在日後對此新聞稿中發佈的訊息做出更新說明。

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