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科林研發推出先進的介電層填隙技術 實現新一代元件製造

2020-09-22 09:00
https://photos.prnasia.com/prnvar/20200917/2920514-1
-新的Striker®FE增強式原子層沉積平台可解決3D NAND、DRAM和邏輯晶片業者的半導體製造挑戰

加州弗里蒙特2020年9月22日 /美通社/ -- 科林研發(Lam Research Corp.)宣佈,推出先進的Striker®FE平台,這是製造高深寬比晶片架構的新型製程解決方案。Striker FE利用創新、同類產品首創的ICEFill™技術,來填充3D NAND、DRAM和邏輯元件在先進製程節點的極端結構。此系統可實現持續的成本與製程技術微縮,這是滿足半導體產業發展藍圖所需要的。

新的Striker®FE增強式原子層沉積平台可解決3D NAND、DRAM和邏輯晶片業者的半導體製造挑戰
新的Striker®FE增強式原子層沉積平台可解決3D NAND、DRAM和邏輯晶片業者的半導體製造挑戰

 

 

半導體製造採用的傳統填隙(gapfill)方法包括,既有的CVD(化學氣相沉積)、擴散/爐管、和旋塗製程。但這些技術因受到品質、微縮和填隙孔洞之間折衷的限制,已無法再符合現今3D NAND的需求。相反地,科林研發的Striker ICEFill採用專利的表面改良技術,可實現更佳的從下而上、且無空隙的間隙填充,並保有ALD(原子層沉積)固有的薄膜品質。因此,ICEFill技術克服了填充高深寬比特徵的既有限制,特別是,這些特徵在3D NAND元件中非常普遍,同時還可避免DRAM和邏輯元件的塌陷問題。

科林研發沉積產品處資深副總裁暨總經理Sesha Varadarajan表示:「我們的目標是為客戶提供最先進的ALD技術。此技術具備了把生產高品質氧化膜和優異的填隙效能結合在一起的能力,可在單一製程系統中,發揮我們領先業界的四站式模組架構所提供的生產力優勢。」

支援ICEFill技術的Striker FE平台是Striker ALD系列產品的成員之一。更多有關Striker系列產品的訊息,請造訪產品頁面

關於科林研發

科林研發股份有限公司是為半導體產業提供創新晶圓製造設備和服務的全球供應商。身為全球領先半導體業者值得信賴的合作夥伴,我們結合優異的系統工程能力、技術領先地位、以及助力客戶成功的堅定承諾,透過提升元件效能來加速創新。事實上,今天,幾乎每一顆先進晶片都是利用科林研發的技術來生產的。科林研發是財星500大企業,總部設在加州弗里蒙特市,營運遍佈全球。更多訊息,請造訪www.lamresearch.com.  (LRCX-P)

前瞻性聲明注意事項

本新聞稿中的一些非既往事實陳述為前瞻性聲明,這些聲明受到「1995年美國私人證券訴訟改革法案」的安全港條款約束。這些前瞻性聲明論及,但不僅限於,我們銷售或服務的機台的效能以及科林研發設備的生產力優勢。這些聲明是以目前的預期為基礎,並受風險、不確定性以及狀況、重要性、價值和影響的變化,包括我們向美國證券交易委員會提交或提供的文件中描述的其他風險和不確定性,特別是包括我們在截至2020年6月28日會計年度的財報10-K表格中所描述的風險因素。這些不確定性與變化可能會對前瞻性聲明造成重大影響,導致實際結果與預期有明顯不同。科林研發沒有義務在日後對此新聞稿中發佈的訊息做出更新說明。

Company Contacts:

Libra White
Media Relations
(510) 572-7725
publicrelations@lamresearch.com

Ram Ganesh
Investor Relations
(510) 572-1615
investor.relations@lamresearch.com

圖片 - https://photos.prnasia.com/prnh/20200917/2920514-1?lang=2
圖標 - https://photos.prnasia.com/prnh/20200715/2858234-1LOGO?lang=2

消息來源: 科林研發公司
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