加州佛利蒙市2021年1月29日 /美通社/ -- 科林研發(Lam Research Corp.)宣佈,推出最新的介電層蝕刻技術 Vantex™,這是專為現今市場上最智慧的蝕刻平台 Sense.i™ 所設計。以科林研發擁有的蝕刻領導地位為基礎,此開創性設計可為目前和未來世代的 NAND 和 DRAM 記憶體元件提供更高效能與更佳擴展性。
晶片製造商為智慧型手機、繪圖卡、和固態硬碟等應用所建構的3D 記憶體元件,促使業界持續透過垂直增加元件尺寸和橫向減小關鍵尺寸(CD)來降低每世代製程節點間的單位位元成本。這已把3D NAND 和 DRAM 的蝕刻深寬比推升到新的境界。
為了能以高生產量蝕刻高深寬比特徵並達到成本縮減目標,Vantex 的新腔體設計採用比之前更高的射頻(RF)功率等級。功率的增加與 RF 脈衝技術的進步相結合,可提供增進元件效能所需的嚴格CD控制。
3D NAND 元件的技術藍圖要求蝕刻深度能隨著每個新世代的進展越來越深,因此需要提升蝕刻輪廓的均勻度。Vantex 技術可控制蝕刻的垂直角度,以滿足3D 元件特徵的更嚴格放置要求,並在整個12吋晶圓上實現高良率。
科林研發蝕刻事業處資深副總裁暨總經理 Vahid Vahedi 表示:「憑藉著在高深寬比蝕刻領域十多年的業界領導地位,我們具備了從頭開始設計 Vantex 腔體的獨特能力,以為未來的許多製程節點提供可擴展性和技術創新。Vantex 重新定義了效能和生產力基準,推動了我們的客戶採用此突破性蝕刻技術。」
科林研發的 Sense.i 蝕刻平台具有 Equipment Intelligence® 功能,可從數百個監視系統和製程效能感測器收集數據。利用 Sense.i 系統中的高頻寬通訊技術,Vantex 腔體針對每片晶圓收集到的數據比市場上任何其他機台都多,因此能更有效地分析和利用數據,並同時提升晶圓上(on-wafer)和晶圓至晶圓(wafer-to-wafer)效能。
搭配的 Sense.i 平台的 Vantex 將持續提供給科林研發的領先記憶體客戶進行認證,預計於2021年取得訂單後進入量產。
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