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科林研發以革命性的新蝕刻技術推動下一代3D記憶體製造

2021-01-29 09:00
https://mma.prnasia.com/media2/1428678/lam_research_vantex_chamber.jpg?p=medium600
-透過技術創新和採用 Equipment Intelligence®,Vantex™ 重新定義了高深寬比蝕刻,使晶片製造商可持續推動3D NAND 和 DRAM的發展藍圖

加州佛利蒙市2021年1月29日 /美通社/ -- 科林研發(Lam Research Corp.)宣佈,推出最新的介電層蝕刻技術 Vantex™,這是專為現今市場上最智慧的蝕刻平台 Sense.i™ 所設計。以科林研發擁有的蝕刻領導地位為基礎,此開創性設計可為目前和未來世代的 NAND 和 DRAM 記憶體元件提供更高效能與更佳擴展性。

Lam Research 在其業界領先的 Sense.i™ 蝕刻平台上推出了新的 Vantex™ 腔體。
Lam Research 在其業界領先的 Sense.i™ 蝕刻平台上推出了新的 Vantex™ 腔體。

晶片製造商為智慧型手機、繪圖卡、和固態硬碟等應用所建構的3D 記憶體元件,促使業界持續透過垂直增加元件尺寸和橫向減小關鍵尺寸(CD)來降低每世代製程節點間的單位位元成本。這已把3D NAND 和 DRAM 的蝕刻深寬比推升到新的境界。

為了能以高生產量蝕刻高深寬比特徵並達到成本縮減目標,Vantex 的新腔體設計採用比之前更高的射頻(RF)功率等級。功率的增加與 RF 脈衝技術的進步相結合,可提供增進元件效能所需的嚴格CD控制。

3D NAND 元件的技術藍圖要求蝕刻深度能隨著每個新世代的進展越來越深,因此需要提升蝕刻輪廓的均勻度。Vantex 技術可控制蝕刻的垂直角度,以滿足3D 元件特徵的更嚴格放置要求,並在整個12吋晶圓上實現高良率。

科林研發蝕刻事業處資深副總裁暨總經理 Vahid Vahedi 表示:「憑藉著在高深寬比蝕刻領域十多年的業界領導地位,我們具備了從頭開始設計 Vantex 腔體的獨特能力,以為未來的許多製程節點提供可擴展性和技術創新。Vantex 重新定義了效能和生產力基準,推動了我們的客戶採用此突破性蝕刻技術。」

科林研發的 Sense.i 蝕刻平台具有 Equipment Intelligence® 功能,可從數百個監視系統和製程效能感測器收集數據。利用 Sense.i 系統中的高頻寬通訊技術,Vantex 腔體針對每片晶圓收集到的數據比市場上任何其他機台都多,因此能更有效地分析和利用數據,並同時提升晶圓上(on-wafer)和晶圓至晶圓(wafer-to-wafer)效能。

搭配的 Sense.i 平台的 Vantex 將持續提供給科林研發的領先記憶體客戶進行認證,預計於2021年取得訂單後進入量產。

關於科林研發

科林研發股份有限公司是為半導體產業提供創新晶圓製造設備和服務的全球供應商。身為全球領先半導體業者值得信賴的合作夥伴,我們結合優異的系統工程能力、技術領先地位、以及助力客戶成功的堅定承諾,透過提升元件效能來加速創新。事實上,今天,幾乎每一顆先進晶片都是利用科林研發的技術來生產的。科林研發是財星500大企業,總部設在加州弗里蒙特市,營運遍佈全球。更多訊息,請造訪www.lamresearch.com.  (LRCX-P)

前瞻性聲明注意事項

本新聞稿中的一些非既往事實陳述為前瞻性聲明,這些聲明受到「1995年美國私人證券訴訟改革法案」的安全港條款約束。這些前瞻性聲明論及,但不僅限於,我們銷售或服務的機台的效能;客戶採用我們的機台所能達成的結果;我們客戶對於未來創新的要求以及我們的機台滿足客戶未來要求的能力;以及我們從既有安裝機台學習到的經驗。這些聲明是以目前的預期為基礎,並受風險、不確定性以及狀況、重要性、價值和影響的變化,包括我們向美國證券交易委員會提交或提供的文件中描述的其他風險和不確定性,特別是包括我們在截至2020年6月28日會計年度的財報10-K 表格和截至2020年9月27日的季報10-Q表格中所描述的風險因素。這些不確定性與變化可能會對前瞻性聲明造成重大影響,導致實際結果與預期有明顯不同。科林研發沒有義務在日後對此新聞稿中發佈的訊息做出更新說明。

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Media Relations
(510) 572-7725
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Investor Relations
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investor.relations@lamresearch.com

消息來源: 科林研發

相關股票: NASDAQ:LRCX

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