Floadia開發閃存技術，延長超高精度模擬數據的保存期

東京2021年12月10日 /美通社/ -- 總部位於東京小平市的 Floadia Corporation 開發了每單元格7位閃存芯片原型，該芯片透過設計閃存單元格結構和控制方法，可以在150攝氏度下保留模擬數據10年。對於現有閃存單元格結構，由於電荷洩漏而引起的特性變化和差異的問題非常明顯，數據只能保留100秒左右。

圖標：https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M104461/202112064501/_prw_PI1fl_5N25P74m.jpg

Floadia 將以極低功耗把閃存技術應用到實現 AI（人工智慧）推理操作的芯片上。該芯片建基於名為閃存內運算 (CiM) 的架構，該架構將神經網絡權值存儲於非易失性閃存中，並透過將電流通過閃存陣列並行執行大量的乘積累加運算。作為邊緣運算環境的人工智慧加速器，CiM 正在吸引全世界的關注，因為它可以從閃存中讀取大量數據，並且功耗比在 CPU 和 GPU 上執行乘積累加運算的傳統人工智慧加速器少得多。

此閃存技術建基於 Floadia 開發的 SONOS-type 閃存芯片，用於集成到微控制器和其他設備中。Floadia 進行了大量創新，如優化電荷捕獲層的結構，即 ONO 薄膜，以延長存儲7位數據時的數據保留時間。兩個單元格的組合可存儲8位神經網絡權值，儘管芯片面積較小，但可以實現 300 TOPS/W 的乘積累加運算性能，遠遠超過現有人工智慧加速器。

此技術的相關內容將於2021年12月15日至17日在東京 Big Sight 舉辦的 SEMICON JAPAN 的展位（展位號：1746）上展示。Floadia 的 CTO 谷口泰弘 (Yasuhiro Taniguchi) 將於12月15日上午11點15分（日本標準時間）開始在「TechSTAGE」上發表演講。

關於 Floadia Corporation

該公司於2011年由一群經驗豐富的工程師成立，在此之前，他們效力於株式會社日立製作所 (Hitachi, Ltd.) 和 Renesas Technology（現在的 Renesas Electronics Corporation），20多年來，他們一直致力於開發嵌入式非易失性閃存芯片。Floadia 致力於向半導體製造商授權生產嵌入式非易失性閃存（即使電源關閉也能保存閃存內容）所需的工藝和電路設計（作為知識產權 (IP)），用於微型電腦、功率半導體、傳感器和其他設備。與競爭對手的閃存技術相比，Floadia 的非易失性存儲技術在寫入和擦除數據時需要的功耗極低，僅為競爭對手產品的一百萬分之一，同時具有卓越的耐熱性，並能夠將集成到芯片的額外成本降低到約三分之一。鑒於這些功能，Floadia 的非易失性存儲技術已被一家日本半導體製造商用於汽車微控制器，也被臺灣一家鑄造廠用作製造的智能手機部件的嵌入式存儲芯片。