iDEAL Semiconductor 推出 SuperQ™ 技術，開創矽功率設備性能的新時代

該技術突破了限制矽技術發展的障礙，可為客戶提供效率更高、體積更小且成本效益更高的產品。

賓夕凡尼亞州利哈伊谷2023年5月16日 /美通社/ -- iDEAL Semiconductor 是一間專注於提供突破性電源效率的無廠半導體公司，今天宣佈其專利的 SuperQ 技術全面上市。SuperQ 能夠降低許多應用程式的功耗，包括數據中心、電動汽車、太陽能板、馬達驅動、醫療設備及大型家電等。更高的效率可減少碳足跡，創造更可持續的未來。

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iDEAL 的工程師及科學家改造了功率設備的架構，在性能上實現了階躍函數的增長。該技術基於矽，佔全球半導體生產能力的 95%，並與未來的功率半導體材料向前兼容。

過去二十年，基礎功率半導體架構的創新有限，而矽功率設備的性能處於平穩期。進一步提升性能的嘗試集中在材料方面，而非擴大矽的極限。透過在原子層面進行科學研究和工程設計，iDEAL Semiconductor 創造了全新的架構，擴大性能的邊界，推翻了該行業已到達矽發展盡頭的想法。

「iDEAL Semiconductor 是少數專注於製造功率設備的工藝和架構的公司之一。我們在矽方面的改進可以與其他材料所提供的改進相媲美，但擁有矽的可製造性、可用性和可靠性。」iDEAL Semiconductor 行政總裁兼共同創辦人 Mark Granahan 說。「透過在美國與 Applied Materials 及 Polar Semiconductor 的合作，我們實現了從前無法想象的性能提升。靠著在材料方面的創新，我們解決了持續增長的功率設備需求。隨著目前全球追求更加環保的未來，我們十分興奮能夠在促進產品更可持續方面發揮作用，同時展示在美國半導體行業投資能夠實現的成就。」

透過原子層面的科學和工程，SuperQ 實現並提供了破紀錄的每單位面積電阻（RSP）。該技術最初以高達 850 伏特（V）的電壓為目標，為系統工程師配備了改良的功率半導體設備，例如二極體、金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFETs）、絕緣柵雙極電晶體（IGBTs）及集成電路（ICs）。例如，基於 SuperQ 的 200V MOSFETs 能提供比現有矽低 6 倍的電阻，以及比 GaN 低 1.6 倍的電阻。採用 SuperQ 技術的馬達驅動逆變器能節省高達 50% 的功耗。該技術是使用最先進的互補式金屬氧化物半導體（CMOS）設備製造而成。

它是在一輪總投資額超過 7500 萬美元的 C 輪融資後推出的。iDEAL 的投資者是總部位於美國的高財富家族辦公室，以及對發展國內半導體行業感興趣的成功企業家。利用這筆資金，iDEAL Semiconductor 正積極地擴展其招聘、產品增值及美國產能。

欲了解更多資訊，請瀏覽 www.idealsemi.com。

關於 iDEAL Semiconductor
 iDEAL Semiconductor Devices, Inc. 是行業領先的新世代矽功率設備開發商，於 2017 年在利哈伊谷創立。其產品基於一個新觀察到的現象透過新穎的半導體技術 SuperQ™ 開發，該現象透過傳統的 CMOS 製造技術，提供巨大的半導體功率效率。該平台技術能應用於廣泛的產品、應用程式及半導體材料，專門為減輕各應用程式的功耗而構建，將為下一代提供更環保的能源使用。