中微公司將於IC CHINA期間舉辦新一代等離子蝕刻設備發布會

上海2012年10月22日電 /美通社/ -- 今年IC China（一年一度在上海舉辦的業內知名半導體展會和論壇）展會期間，先進的設備制造商 -- 中微半導體設備（上海）有限公司（以下簡稱「中微公司「），將於本週三在上海世博展覽館，就其設計創新、技術領先的新一代蝕刻設備產品舉辦新聞發布會。屆時，中微公司董事長兼首席執行官尹志堯博士將介紹公司產品開發的最新進展；中微公司資深技術專家將在會上介紹公司研發部門開發成功的兩款新一代蝕刻設備。

新設備中的第一款是Primo SSC AD-RIE（「單反應器甚高頻去耦合反應離子介質蝕刻機）」，可應用於最先進的記憶體晶片和邏輯晶片的加工生產，包括2x納米及1x納米代高深寬比接觸孔蝕刻、溝槽及接觸孔蝕刻、串行蝕刻（在單反應器中實現多步操作）。 Primo SSC AD-RIE擁有獨特的創新設計，能夠在工藝控制方面實現前所未有的靈活性，並能幫助晶片生產商在確保晶片加工質量的同時達到更高的產出效率。

另一款，12英寸矽穿孔蝕刻設備Primo TSV300E®，拓展了原有的8英寸矽蝕刻產品Primo TSV200E®的能力，可用於多種矽深孔及深槽蝕刻。公司的8英寸矽穿孔蝕刻設備Primo TSV200E®獲得業界認可，已被亞洲眾多客戶用於先進系統封裝、2.5維封裝和微機電系統晶片的生產。中微第一台Primo TSV300E®設備已在國內領先的晶圓封裝廠運轉。

這兩種設備強化了中微公司產品佈局，為全球晶片生產商應對積體電路工藝的挑戰提供了更多、更新、更好的解決方案。

中微公司董事長兼首席執行官尹志堯認為，IC China是一個極有價值的平台，非常適合新技術產品發布。他表示：「作為中國起步较早的積體電路展會，IC China對國內外的技術專家和企業領導人具有極大的吸引力，同時為積體電路製造前沿技術的深入討論提供了平台。我們很高興能在這次展會上發布中微新一代蝕刻設備。這些設備都具有領先的獨特創新，能夠解決隨著技術進步和材料深度整合出現的新的技術障礙。這些設備也能為晶片生產商帶來顯著的成本競爭優勢，創造更多價值。 」

Primo SSC AD-RIE具有卓越的工藝控制靈活性，帶來更高產能及更佳晶片加工結果

Primo SSC AD-RIE是中微公司最新的介質蝕刻設備。它在中微和國際領先的積體電路晶片製造商的合作中開發而成，能夠實現超高產能、较好的晶片加工質量和晶片蝕刻技術可延展性等嚴苛的技術目標。該設備的晶圓傳遞平台可配置多達6個單晶片加工反應器，每個反應器可以獨立地優化加工條件，以實現不同工藝控制的靈活性。每個反應器的分子泵有極高的抽速，對包括壓力、流量、射頻功率以及溫度在內的重要參數有很好的調節作用，而並行工藝精確控制能實現反應器之間的良好匹配度。更佳的反應器之間匹配能夠提高蝕刻的重複性，從而提高生產效率。

採用Primo SSC AD-RIE，客戶可以得到更先進的工藝、卓越的晶片加工性能、技術可延展性和成本競爭優勢。

Primo SSC AD-RIE特點和優勢

• 超高速渦輪分子泵和大抽氣通道，可以產生高流量、低壓力，有利於高深寬比（HAR）蝕刻；
• 極高功率的低頻射頻偏壓電源。 7kW 2MHz偏壓功率可以提供更高的離子能量，結合可以選配的脈衝射頻功率電源一起，可以提高在高深寬比（HAR）蝕刻中各向異性蝕刻的性能；
• 配備較大的射頻接地面積、產生更高的直流偏壓，可以產生更高的離子能量和更佳的蝕刻方向性；
• 雙區控溫的靜電吸盤配有雙區溫控設備，可以提高溫度和均勻性控制，並且更有效地散熱；
• 除三區的氣體分佈系統（中心、邊緣和極端邊緣）和配備兩路可以獨立控制中心、邊緣和極端邊緣區域精細調整的氣體，再結合雙區控溫的靜電吸盤一起，產品反應器可以實現關鍵尺寸均勻性的精密控制；
• 選配的矽片邊緣工藝套件，可以提高矽片極端邊緣的蝕刻均勻性，實現更好的關鍵尺寸均勻性和更優化的蝕刻剖面，提高整體矽片良率。

Primo TSV300E®：用於矽穿孔蝕刻的先進蝕刻設備

Primo TSV300E®不僅擁有前一代設備TSV200E®的技術創新點，還拓展了工藝範圍。具有雙反應台的反應器既可以單獨加工單個晶圓片，又可以同時加工兩個晶圓片。該蝕刻設備可安裝多達6個加工反應台（即3個雙反應器），這使得晶片產出能力幾乎翻了一倍，並降低了加工成本，對於注重節省成本的客戶來說無疑是不二之選。

區別於Primo TSV200E®，Primo TSV300E® 配備了高效能冷卻系統的5kW高功率電源，可以提高工藝的調整能力，同時它還具有獨特的氣體快速切換裝置，可以使穿孔蝕刻的側壁更加光滑。產品應用了電感耦合等離子體源，反應器可以用於深矽蝕刻和非博世工藝。

Primo TSV300E®還有一項重要的技術創新點，它可以和中微的Primo D-RIE®蝕刻設備靈活結合，混合配置出具備在同一平台進行等離子體蝕刻和TSV矽穿孔蝕刻能力的設備。這種靈活的安排帶來了技術最優化和成本的競爭優勢。

Primo TSV300E®特點和優勢

• 配備高效能冷卻系統的5kW功率射頻電感耦合等離子體源功率電源，可以提高工藝的調整能力；
• 有自主知識產權的氣體分佈系統，可以在寬廣的工藝範圍內顯著提高蝕刻均勻性；
• 獨特的氣體快速切換裝置，可以使穿孔蝕刻的側壁更加光滑；
• 400KHz脈衝式和連續的偏壓射頻電源，可以消除蝕刻工藝過程中產生的穿孔形狀的畸變，同時擴展工藝的可調性，提高設備性能的可預見性；
• 反逆流屏蔽環可以均衡等離子體屏蔽，防止氣體反應後反向擴散；
• 尺寸可變的氣體集聚環可以優化蝕刻均勻性，同時拓寬工藝窗口和範圍。

IC China積體電路展會和論壇將於2012年10月23日至25日在上海世博展覽館1號館舉辦，中微公司除將召開技術創新和領導人會議外，IC China展會期間還在B04展位設有展台，歡迎蒞臨參觀。

關於中微半導體設備有限公司

中微公司致力於為全球晶片生產廠商和相關高科技領域的世界領先公司提供一系列先進的晶片生產設備。公司擁有業內經驗最豐富的管理和技術專家，已形成強有力的市場驅動力，持續拓展產品線以滿足各種新興的技術需求。客户正是運用了中微先進的蝕刻設備和技術，製造了電子產品中最為關鍵的晶片器件。中微的先進設備在65、45、40、28、26奈米及以下的晶片生產領域實現了技術創新和生產力提高的最優化。中微公司以亞洲為基地，總部位於中國，其研發、製造、銷售和客户服务機構遍布日本、南韓、新加坡、台灣等地。

更多訊息請參考公司網站：www.amec-inc.com

Primo D-RIE、Primo AD-RIE、Primo TSV200E和 Primo TSV300E為中微公司註冊商標。