大幅提升快閃記憶體可靠度、耐用性並降低成本
LSI於快閃記憶體業界年度盛會Flash Memory Summit發表新一代快閃記憶體儲存趨勢、挑戰與解決方案
台北2013年8月28日電 /美通社/ -- LSI公司(NASDAQ: LSI)日前於美國加州Santa Clara會議中心舉辦的Flash Memory Summit中展示最新的LSI® SandForce®快閃記憶體控制器創新技術。
LSI資深副總裁暨技術長Greg Huff 於大會中發表主題演說,許多來自LSI的快閃記憶體專家也於論壇中提出他們對各種最新快閃記憶體相關技術與趨勢之深度觀點,以及這些全新技術如何改變IT產業。
LSI的展出包括LSI SHIELD™技術,此項先進的錯誤校正技術,可提供企業級SSD的耐用性和資料完整性,甚至當企業使用較便宜但錯誤率較高的快閃記憶體時,也可擁有同樣效益。SHIELD技術是一項獨特的技術,可將低密度奇偶校正 (low-density parity-check, LDPC) 碼和數位訊號處理 (digital signal processing, DSP)功能內建於新一代的SandForce快閃記憶體控制器中。此外,這項技術更結合了語言訊號的直接解調 (hard decision) 、逐漸解調 (soft decision) 方法及數位訊號處理,可提供较佳化解決方案給擁有全面錯誤校正碼 (error correction code, ECC)的快閃記憶體。
LSI SHIELD技術特別結合了以下多項功能,相較目前各種低密度奇偶校正碼的方法,提供更多優勢:
LSI快閃記憶體元件部門副總裁暨總經理Huibert Verhoeven表示:「現今製程技術愈加微縮,以不斷提升NAND快閃記憶體的價值,並促使快閃記憶體儲存的普及,隨之而來的是較低的可靠度和較短的使用週期。LSI SHIELD技術可針對SSD较佳化的先進錯誤校正功能,來協助解決這些挑戰,並將最新的NAND快閃記憶體轉換成為更堅固耐用的儲存解決方案。」
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